...
机译:用于InGaN / GaN发光二极管的空穴加速器
LUMINOUS! Centre of Excellence for Semiconductor Lighting and Displays, School of Electrical and Electronic Engineering, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798;
机译:用于InGaN / GaN发光二极管的空穴加速器
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:GaN-Ingan-GaN屏障的起源在增强InGaN / GaN绿色发光二极管的空穴注射中
机译:具有微孔排列的铟锡氧化物层的InGaN / GaN发光二极管的光电性能性能增强
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:用于InGaN / GaN发光二极管的空穴加速器