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用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻

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摘要

在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻的方法，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-13

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/16 申请公布日:20150527 申请日:20130830

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27

公开

公开

1. 用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻 [P] . 中国专利： CN104662678A . 2015-05-27
2. 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 [P] . 中国专利： CN209029404U . 2019.06.25
3. 20-2-1 PEC etching of semi-polar gallium nitride for light-emitting diode [P] . 日本专利： JP2015532009A . 2015-11-05

机译： 20-2-1发光二极管半极性氮化镓的PEC蚀刻
4. PEC ETCHING OF {20-2-1} SEMIPOLAR GALLIUM NITRIDE FOR LIGHT EMITTING DIODES [P] . 韩国专利： KR20150048147A . 2015-05-06

机译：用于发光二极管的{20-2-1}半氮化镓的PEC蚀刻
5. PEC ETCHING OF { 20-2-1 } SEMIPOLAR GALLIUM NITRIDE FOR LIGHT EMITTING DIODES [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2891191A1 . 2015-07-08

机译：用于发光二极管的{20-2-1}半氮化镓的PEC蚀刻