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High-throughput bend-strengths of ultra-small polysilicon MEMS components

机译:超小型多晶硅MEMS组件的高通量弯曲优势

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摘要

The strength distribution of polysilicon bend specimens,approximately 10 μm in size,is measured using a high-throughput microelectrome-chanical system fabrication and testing method. The distribution is predicted from reference tests on tensile specimens and finite element analysis of the bend specimen geometry incorporated into a stochastic extreme-value strength framework. Agreement between experiment and prediction suggests that the ultra-small specimens may be at the limit of extreme-value scaling and contain only one strength-controlling flaw/specimen.
机译:使用高通量微电体 - 螯合系统制造和测试方法测量多晶硅弯曲标本的强度分布,大约10μm。 预测分布的推性试样的参考试验和弯曲试样几何形状的有限元分析,该几何形状掺入随机极值强度框架中。 实验和预测之间的协议表明,超小型样本可能处于极值缩放的极限,并且仅包含一个强度控制缺陷/样本。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2021年第20期|201601.1-201601.5|共5页
  • 作者单位

    Winterville North Carolina 28590 USA;

    Material Physical and Chemical Sciences Center Sandia National Laboratories Albuquerque New Mexico 87185 USA;

    Material Measurement Laboratory National Institute of Standards and Technology Gaithersburg Maryland 20899 USA;

    Material Physical and Chemical Sciences Center Sandia National Laboratories Albuquerque New Mexico 87185 USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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