机译:在4H-SIC MOSFET中漏极电流瞬变的起源和亚阈值扫描滞后
Kompetenzzentrum Automobil & Ind Elekt GmbH Europastr 8 A-9524 Villach Austria|Friedrich Alexander Univ Erlangen Nurnberg Dept Phys Lehrstuhl Angew Phys Staudtstr 7-A3 D-91058 Erlangen Germany;
Friedrich Alexander Univ Erlangen Nurnberg Dept Phys Lehrstuhl Angew Phys Staudtstr 7-A3 D-91058 Erlangen Germany;
Infineon Technol Austria AG Siemensstr 2 A-9500 Villach Austria;
Infineon Technol Austria AG Siemensstr 2 A-9500 Villach Austria;
Friedrich Alexander Univ Erlangen Nurnberg Dept Phys Lehrstuhl Angew Phys Staudtstr 7-A3 D-91058 Erlangen Germany;
Friedrich Alexander Univ Erlangen Nurnberg Dept Phys Lehrstuhl Angew Phys Staudtstr 7-A3 D-91058 Erlangen Germany;
Kompetenzzentrum Automobil & Ind Elekt GmbH Europastr 8 A-9524 Villach Austria;
机译:亚阈值漏极平面SiC MOSFET的滞后
机译:漏电流深能级瞬态光谱法定量研究4H-SiC MOSFET中的近界面陷阱
机译:商业4H-SiC MOSFET中的V_(TH)亚阈值滞后技术和温度依赖性
机译:4H-SiC nMOSFET的亚阈值漏极电流扫描滞后
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:亚阈值漏极平面SiC MOSFET的滞后
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术