机译:一种在Si_3N_4 / CaN下提取界面态密度的改进方法
Univ Calif Santa Barbara Dept Elect & Comp Engn Santa Barbara CA 93106 USA;
机译:提取钝化硅太阳能电池界面缺陷密度的改进方法
机译:MBE原位生长Si_3N_4立方GaN MIS结构中的低界面俘获电荷密度
机译:为TCAD仿真提取接口陷阱参数的有效方法
机译:GaAs和In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS电容器的电容电压和界面缺陷密度特性,并结合了PECVD Si_3N_4电介质
机译:一种改进从财务文件中提取信息的性能的方法。
机译:评论姜黄和玉米(紫色)的联合提取物改善链脲佐菌素诱发的糖尿病大鼠的神经病氧化应激和轴突密度
机译:一种从基板偏压依赖性亚阈值中提取在短通道MOSFET中的接口陷阱密度的新方法