机译:Si自旋MOSFET的门控效应研究
Kyoto Univ Dept Elect Sci & Engn Kyoto Kyoto 6158510 Japan;
Osaka Univ Grad Sch Engn Sci Toyonaka Osaka 5608531 Japan;
Osaka Univ Grad Sch Engn Sci Toyonaka Osaka 5608531 Japan|Univ Tokyo Inst Solid State Phys Kashiwa Chiba 2778581 Japan;
TDK Corp Adv Prod Dev Ctr Ichikawa Chiba 2728558 Japan;
机译:通过3D仿真研究了具有双材料栅极的无结双栅极MOSFET中的单事件瞬态效应
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于无结单栅极SOI MOSFET的6T SRAM单元的SEU灵敏度
机译:间隔器上具有高k堆栈的纳米级栅下单层和双栅绝缘体上硅MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:LF噪声对0.3μm栅极n-MOSFET的可靠性和微米氮化氮化栅极MOSFET的影响
机译:短通道MOSFET栅极电容特性研究
机译:不同功能生物界面对硅纳米线MOSFET的影响的研究
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性