机译:基于AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的两端太赫兹探测器
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & NanoBion SINANO Key Lab Nanodevices & Applicat 398 Ruoshui Rd Suzhou 215123 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & NanoBion SINANO Key Lab Nanodevices & Applicat 398 Ruoshui Rd Suzhou 215123 Peoples R China|Univ Sci & Technol China Sch Nano Technol & Nano Bion Suzhou 215123 Peoples R China;
Suzhou Univ Sci & Technol Coll Elect & Informat Engn Suzhou 215009 Peoples R China;
Russian Acad Sci Kotelnikov Inst Radio Engn & Elect Saratov Branch Saratov 410019 Russia;
机译:出版商注:'基于ALGAN / CAN高电子迁移晶体管的双端子太赫兹探测器[APPL。物理。吧。 115,111101(2019)]
机译:基于双通道GaN / AlGaN高电子迁移率晶体管的非谐振太赫兹探测器的TCAD仿真
机译:使用氨分子束外延在100-mm Si(111)上生长和表征AIGaN / GaN / AIGaN双异质结高电子迁移率晶体管
机译:基于Si CMOS和AlGaN / GaN场效应晶体管的太赫兹检测器设计的优化
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:GaN高电子迁移率晶体管实现的高温太赫兹检测器
机译:出版商的注意事项:“基于AlGaN / GaN高电子 - 移动晶体管的双端子太赫兹探测器”Appl。物理。吧。 115,111101(2019)