机译:出版商的注意事项:“基于AlGaN / GaN高电子 - 移动晶体管的双端子太赫兹探测器”Appl。物理。吧。 115,111101(2019)
机译:出版商注:'基于ALGAN / CAN高电子迁移晶体管的双端子太赫兹探测器[APPL。物理。吧。 115,111101(2019)]
机译:出版者注:“关于磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2的磁化和电子传输的各向异性” [Appl。
机译:出版者的注释:“机械偏置的单晶弛豫器中的热诱导相转换”。
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:勘误表:使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管进行的激酶检测物理来吧103013701(2013)
机译:出版商注:“来自横向电场电子加热下的AlGaN / GaN异质结构的Terahertz辐射的黑体样发射”J。苹果。物理。 109,073108(2011)