机译:锡含量16%的二维六角形光子晶体GeSn激光器
Univ Grenoble Alpes, INAC Pheliqs, CEA, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, INAC Pheliqs, CEA, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, INAC Pheliqs, CEA, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000 Grenoble, France;
Univ Grenoble Alpes, INAC Pheliqs, CEA, F-38000 Grenoble, France;
机译:在Ge衬底上共溅射非晶GeSn上通过脉冲激光退火形成高Sn含量的多晶GeSn膜
机译:Sn在非晶态Ge中的结晶,在绝缘体上70℃合成高Sn含量(25%)的GeSn
机译:具有六角对称性的二维光子晶体中的带隙
机译:锡含量高达16%的基于中红外GeSn的LED
机译:高速含量GESN合金朝向室温中红外激光
机译:通过快速熔化生长在绝缘体上实现无缺陷的高锡含量GeSn
机译:弱激光辐照增强绝缘子上高取代度sn浓度(~10%)Gesn的低温(<200 oC)固相结晶