机译:Sn在非晶态Ge中的结晶,在绝缘体上70℃合成高Sn含量(25%)的GeSn
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
Electron Microscope Facility, TIA, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, Japan;
Electron Microscope Facility, TIA, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, Japan;
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
机译:在Ge衬底上共溅射非晶GeSn上通过脉冲激光退火形成高Sn含量的多晶GeSn膜
机译:闪光灯退火处理,提高高SN内容Gesn N-MOSFET的性能
机译:高锡含量(Si)GeSn合金上的高k /金属栅叠层的低温沉积
机译:绝缘子高温浓度Sisn的低温固相结晶
机译:包含原位结晶无定形颗粒的整体纳米结构铝的合成。
机译:低缺陷高Sn合金生长的GeSn应变弛豫和自发组成梯度研究
机译:高sn含量(si)Gesn合金中高k /金属栅堆叠的低温沉积
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。