机译:通过快速熔化生长在绝缘体上实现无缺陷的高锡含量GeSn
机译:通过生长方向选择的快速熔化生长,具有“ 100…”,“ 110…”和“ 111…”取向的无缺陷绝缘体上的Ge
机译:通过生长方向选择的快速熔化生长,具有(100),(110)和(111)取向的无缺陷绝缘体上的Ge
机译:通过在绝缘基板上快速熔化生长的高迁移率无缺陷ge单晶
机译:基于快速熔体生长的用于三维集成电路的高性能绝缘体上锗MOSFET。
机译:低温磁控溅射法生长的Sn含量高达7%的高质量GeSn层
机译:通过快速熔化生长生长的绝缘体上没有缺陷的高Sn含量Gesn
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成