机译:低温湿式O_2退火工艺可增强4H-SiC(0001)Si面上的反型沟道迁移率并抑制V_(fb)不稳定
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
机译:具有超低净掺杂浓度的4H-SiC(0001)MOSFET的反向沟道中的理想声子散射限制迁移率
机译:4H-SiC(0001)金属氧化物半导体场效应晶体管的小阈值电压不稳定性和高沟道迁移率并存
机译:高温退火改善倒置型N沟道Gan金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道迁移率
机译:H_2氧化后退火在4H-SiC C(0001)面上制造的MOSFET的高反向沟道迁移率
机译:用于低温功率电子器件的磷化铟通道高电子迁移率晶体管。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:使用氧化亚氮(N2O)中生长的栅极氧化物增强4H-siC mOsFET中的反转沟道迁移率