机译:单轴剪切应力下p型金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电流增强
Intel Corporation, Logic Technology Development, Hillsboro, Oregon 97124;
机译:单轴应力对p型金属氧化物半导体场效应晶体管中库仑极限迁移率影响的实验研究
机译:负偏置温度不稳应力条件下SiON / HfO_2 / TaN p型金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极电流随机电报信号噪声的特性
机译:机械应力对锗和硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极隧穿电流及金属栅极功函数的影响
机译:具有SiNx / HfO2钝化层的P型SnO薄膜晶体管的栅极偏置和电流应力稳定性的增强
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:错误:“通过分级异质结函数”驱动隧道场效应晶体管的电流增强“J。苹果。物理。 114,094507(2013)