机译:外延砷化镓在X射线成像中的适用性
Univ Paris 06, Lab Mil Disordonnes & Heterogenes, F-75015 Paris, France;
DETECTORS; PERFORMANCES; CDZNTE; LAYERS;
机译:用于X射线成像的外延GaAs
机译:用X射线衍射研究In_xGa_(1-x)As / GaAs和GaAs_(1-x)P_x / GaAs梯度外延膜的浓度和弛豫深度分布
机译:勘误:“ InGaAs / GaAs(001)外延生长过程中位错介导的应变弛豫的X射线倒易位图” [J.应用物理110,113502(2011)]
机译:Ge伪衬底上厚外延GaAs / InGaAs层的X射线研究
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:研究GaAs:Cr材料在高通量X射线成像中的适用性