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盛柏桢;
砷化镓; 半导体工业; 分子束外延技术; 单晶材料; 设计规划; 半导体硅; 微电子工业; 化合物半导体; 雪绒; 技术投入;
机译:电物理和光致发光的研究超晶格{LT-砷化镓/砷化镓为Si},通过分子束外延在GaAs衬底上生长具有(100)取向和(111)A
机译:砷化镓纳米线的镓辅助分子束外延生长的成核机理
机译:低温下分子束外延生长的砷化镓中过量的砷和点缺陷
机译:扫描分子束外延生长砷化镓砷化镓研究的隧道显微镜和角度研究
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:分子束外延(mBE)生长砷化镓和砷化铝镓
机译:砷化镓分子束外延生长中硅氮化镓扩散阻挡层的制备方法
机译:用于砷化镓分子束外延生长的氮化硅镓扩散阻挡层的制备方法
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