机译:散装锗和绝缘体上锗的预非晶化注入辅助硼活化
Department of Electrical Engineering, University of California-Los Angeles, 420 Westwood Plaza, Los Angeles, Los Angeles, California 90095-1594;
机译:植入预非晶化和结晶锗中的硼的扩散,活化和重结晶
机译:由块状锗制成的200毫米绝缘体上锗(GeOI)衬底的制造和表征
机译:LSA后快速热退火过程中氟共注入对锗预非晶硅中硼扩散的影响
机译:散装锗和绝缘体的掺杂剂活化
机译:超浅硼在锗中的注入和活化。
机译:六方氮化硼的共溶剂剥落:原始散装氮化硼尺寸和共溶剂组成的影响
机译:基于多步横向过度生长和氢退火的块状硅衬底上的高质量单晶绝缘体上锗