机译:通过依赖于图案的金属诱导的横向结晶,使用纳米线通道增强多晶硅薄膜晶体管的迁移率
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan, Republic of China;
机译:不同尺寸的图案相关金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管的迁移率增强
机译:具有多个纳米线通道和多个栅极的高性能金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管
机译:金属诱导的横向结晶增强了多晶硅纳米线薄膜晶体管的特性
机译:分析布局和工艺修改对具有金属诱导的横向结晶多晶硅纳米线通道的薄膜晶体管的影响
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:高迁移率P沟道SnO薄膜晶体管的浮动Ni封盖
机译:金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管的反向短沟道效应