机译:在具有高温AlN中间层的GaN上生长的AlGaN中的横向相分离
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People's Republic of China;
机译:使用高温GaN中间层减少在AlN /蓝宝石模板上生长的AlGaN层中的螺纹位错
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:AlN和GaN低温中间夹层对MOCVD生长的Algan和GaN脱位行为的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
机译:具有通过MOCVD生长的AlN中间层的AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMTs结构