机译:使用高温GaN中间层减少在AlN /蓝宝石模板上生长的AlGaN层中的螺纹位错
机译:具有AlN / AlGaN缓冲层的Si(111)基板上三维生长的GaN岛中的螺纹位错减少
机译:用ALN / AlGaN缓冲层的Si(111)衬底上三维生长的GaN岛的穿线脱位减少
机译:通过使用渐变AlxGa1-xN / AlN多缓冲层倾斜在AlN /蓝宝石模板上生长的Al0.45Ga0.55N外延层中的位错倾斜来放松压缩应变
机译:AlN和GaN低温中间夹层对MOCVD生长的Algan和GaN脱位行为的影响
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
机译:富含缺陷的GaN中间层,促进在(0001)的蓝宝石底板上生长的极性GaN晶体中的螺纹脱位湮灭
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错