机译:多晶铁电Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的逐区极化反转动力学的微观方面
Ceramics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, 1015 Lausanne, Switzerland;
机译:铁电Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的微观极化保持特性
机译:Pt / Pb(Zr,Ti)O_3 / Pt和Pt / Al_2O_3 / Pb(Zr,Ti)O_3 / Pt电容器在不同反转方向上的极化反转行为
机译:多层PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3 / Pb(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.7)Ti_(0.3)O_3 / PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3的铁电和导电行为电影
机译:应变增强的PB(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3 / PB(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3多层薄膜而无缓冲层的介电和铁电性能
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:依赖于成分的极化转换行为 (111) - 优选的多晶pb(Zr_ {x} Ti_ {1-x})O_ {3}薄膜
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性