退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘俊明; 王阳;
南京大学物理系 固体微结构物理国家实验室 南京 210093;
中国科学院国际材料物理研究中心 沈阳 110016;
PZT铁电薄膜; 极化疲劳; 缺陷; 长程迁移;
机译:[001](c)Pb(In0.5NB0.5)O-3-PB(Mg1 / 3NB2 / 3)O-3-PBTIO3单晶的铁电疲劳和极化滞后行为
机译:Pb(Zrx,Ti1-x)O3 / n-Si和Pb(Zrx,Ti1-x)O3 / n-PS异质结太阳能电池的光伏性能
机译:PbTiO3-SmFeO3薄膜中的饱和铁电极化
机译:Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电单晶在变质相边界的极化旋转和机电可靠性
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:铅(mG1 / 3Nb2 / 3)O3-xpbTiO3单晶 - 在111基于极化弛豫铁电0.24pb(IN1 / 2Nb1 / 2)O3-(X 0.76)光学带间跃迁
机译:La0.7Sr0.3MnO3电极上外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的顶层界面控制疲劳
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:PbTiO3或Pb(ZrTi)O3的铁电薄膜单晶的制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。