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刘俊明; 王阳;
南京大学物理系固体微结构物理国家实验室;
PZT铁电薄膜; 极化疲劳; 缺陷; 长程迁移;
机译:反铁电(Pb,La)(Zr,Ti)O3薄膜在电疲劳过程中类瑞利非线性介电响应及其演化
机译:无铅抗铁电(Bi0.46NA0.46ba0.05la0.02)Zrxti(1-x)O3陶瓷的能量储存性能和电气行为
机译:基于Pb(Zr0.95Ti0.05)O3铁电陶瓷的横向冲击波去极化的微型100 kV爆炸驱动原动力
机译:用于原子层沉积Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的存储器应用工程纳米级多铁复合材料。
机译:铁电薄膜Pb(Zr0.3Ti0.7)O3的纳米压花技术在多位存储应用中的应用
机译:铁电PB(ZrxTi1-X)O3和Srbi2TA2O9膜的电极接触及其对疲劳性能的影响
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:PbTiO3或Pb(ZrTi)O3的铁电薄膜单晶的制造方法
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