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Quantum oscillations of the luminescence from a modulation-doped GaAs/InGaAs/GaAlAs quantum well

机译:调制掺杂的GaAs / InGaAs / GaAlAs量子阱的发光的量子振荡

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摘要

Magnetospectroscopic studies of a modulation-doped GaAs/InGaAs/GaAlAs quantum well (QW) are presented. Oscillations of the photoluminescence (PL) intensity in magnetic field are investigated. Recombination processes giving rise to the PL are identified and their effect on the PL is established. It is shown how measurements of the oscillations can provide information on the density of the quasi-two-dimensional electron gas confined in the QW.
机译:提出了调制掺杂的GaAs / InGaAs / GaAlAs量子阱(QW)的磁谱研究。研究了磁场中光致发光(PL)强度的振荡。确定产生PL的重组过程,并确定它们对PL的影响。示出了振荡的测量如何能够提供关于限制在QW中的准二维电子气的密度的信息。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第5期|p.051909.1-051909.3|共3页
  • 作者单位

    Institute of Experimental Physics, Warsaw University, ul. Hoza 69, 00-681 Warszawa, Poland;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:21:47

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