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机译:欧姆接触n〜+ -GaN盖的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:在具有AlN夹层的未掺杂AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管上开发的低电阻欧姆接触
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:GaN / AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管在肖特基接触下的陷阱态研究
机译:ALN间隔层和GaN背面对AlGaN / ALN / INGAN / GAN高电子迁移率晶体管的光电性质的作用
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:ALGAN / GAN高电子迁移率晶体管的无芳型嵌入式欧姆触点:蚀刻化学和金属方案的研究
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。