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机译:具有n沟道耗尽和增强模式的高度可复制的ZnO纳米线场效应晶体管的实现
机译:由受控耗尽型和增强型ZnO纳米线晶体管组成的逻辑反相器
机译:耗尽型ZnO纳米线场效应晶体管
机译:横向耗尽模式4H-SiC N沟道结场 - 效应晶体管在400°C下运行
机译:n沟道,p沟道,耗尽型,增强型GaAs金属绝缘体半导体场效应晶体管,其栅极膜通过GaAs表面的氧氮化形成
机译:电子设备的新平台:N沟道有机场效应晶体管,互补电路和纳米线晶体管。
机译:施加电压对ZnO纳米线场效应晶体管中电荷传输特性的影响
机译:包括肖特基二极管模型的底栅耗尽型纳米线场效应晶体管(NWFET)模型
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。