机译:并五苯薄膜晶体管中的电荷俘获和去俘获引起的动态偏置应力电流不稳定性
机译:并五苯薄膜晶体管中电荷陷阱引起的电流不稳定性:陷阱势垒和表面处理的影响
机译:研究InGaZnO薄膜晶体管在DC和AC栅极偏压下由电荷俘获效应引起的退化行为
机译:HF介电基场效应晶体管的负偏置温度不稳定性中的慢陷阱充电和去陷阱
机译:InGaZnO薄膜晶体管在交流闸门偏置应力作用下在止蚀层处电荷陷获引起的降解研究
机译:高k电介质氧化锌薄膜晶体管的电不稳定性和界面电荷的研究。
机译:氧化石墨烯作为介电和电荷陷阱元素并五苯的有机薄膜晶体管在非易失性存储器中的应用
机译:五烯薄膜晶体管偏置应力不稳定性与光电晶体管的相关性