机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs量子点的室温发射为1.59μm
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射
机译:在硅衬底上生长的多层InAs / InGaAs量子点p-i-n GaAs太阳能电池的制备和表征
机译:使用GaAsSb变质缓冲层在GaAs衬底上生长的1.55μmInAs量子点
机译:1.6使用藻类变质缓冲液在GaAs底物上生长的inaSumporum点的莫马斯峰值
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。