机译:单个SiGe / Si(001)点分子的X射线纳米衍射及其基于运动散射理论的数值描述
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
European Synchrotron Radiation Facility, BP 220, F-38043 Grenoble Cedex, France;
European Synchrotron Radiation Facility, BP 220, F-38043 Grenoble Cedex, France;
Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, D-12489 Berlin, Germany;
Institut fuer Strukturphysik, Technische Universitaet Dresden, Zellescher Weg 16, D-01069 Dresden,Germany;
机译:通过快速扫描X射线纳米衍射研究周期性和非周期性Si(001)模板上SiGe中的位错工程
机译:SiGe:Si(001)量子点分子的应变场和化学成分的X射线衍射图
机译:起作用的场效应晶体管内部单个SiGe量子点上的X射线纳米衍射
机译:a-HfO2 / a-SiO / SiGe(001)和a-HfO2 / a-SiO2 / SiGe(001)界面的密度泛函分子动力学模拟和实验测量
机译:桥接理论和实验:小型RNA分子的建模溶液X射线散射
机译:功能性场效应晶体管内单个SiGe量子点上的X射线纳米衍射
机译:通过快速扫描X射线纳米二射出研究的周期性和非周期性Si(001)模板上的SiGe脱位工程
机译:si / siGe量子点中谷轨耦合理论