机译:硅兼容化合物半导体隧穿场效应晶体管,可实现高性能和低待机功耗
Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-4075, USA;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Republic of Korea;
Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-4075, USA;
Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul 151-742, Republic of Korea;
Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-4075, USA;
机译:基于Ge / GaAs异质结并具有隧穿-增强层的化合物半导体隧穿场效应晶体管,用于高性能操作
机译:功能性栅极金属氧化物半导体场效应晶体管,采用隧道注入/陷阱电荷注入,可实现超低功耗工作的自可调阈值电压
机译:InGaAs / InP异质结沟道隧穿场效应晶体管,用于低于0.5 v电源电压的超低工作和待机功率应用
机译:为下一代低功耗VLSI设计具有2D半导体的带间隧穿场效应晶体管
机译:用于低功率逻辑应用的铟镓砷化物埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:基于二维晶体分子半导体的低压高性能有机场效应晶体管
机译:用于低功耗开关的厚度控制的黑色磷隧道场效应晶体管
机译:用于低功率p沟道场效应晶体管的化合物半导体