机译:Ga(As,Sb)封顶的InAs量子点润湿层界面混合和偏析效应的定量研究
Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117, Berlin, Germany;
Departamento de Ciencia de los Materiales e I.M y Q.I., Facultad de Ciencias, Universidad de Cddiz,Campus Rio San Pedro, 11510 Puerto Real, Cddiz, Spain n-Mat Group, CEMES-CNRS. 29 Rue Jeanne Marvig, BP 94347, 31055 Toulouse, CEDEX 4, France;
Physics Department, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom;
Departamento de Ciencia de los Materiales e I.M y Q.I., Facultad de Ciencias, Universidad de Cddiz,Campus Rio San Pedro, 11510 Puerto Real, Cddiz, Spain;
机译:Ga(As,Sb)封顶的InAs量子点润湿层界面混合和偏析效应的定量研究
机译:InAs / GaAs自组装量子点结构的润湿层状态:混合和覆盖层的影响
机译:隔离在盖有GaAsSb应变减少层的InAs / GaAs量子点结构中的作用
机译:InGaAsSb覆盖层对InAs / InGaAsSb量子点结构性能的影响
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:具有优化的GaAsSbN覆盖层的InAs / GaAs量子点的长波长室温发光
机译:InAs / GaAs自组装量子点结构的润湿层状态。混合和覆盖层的作用