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柯三黄;
无;
机译:应变和纵向松弛的Diamond / c-BN超晶格的价带偏移
机译:Ga1-xInxP / GaAs超晶格中Ga界面的第一原理价带偏移
机译:具有应变同步化的硅基Si-Ge超晶格的价带间子激光器
机译:III-V三元合金异质界面的应变分析:超薄砷化镓磷酸盐/砷化镓超晶格。
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:应变补偿超晶格和带高价带分裂的超晶格的高度极化电子发射*
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。
机译:nBn和pBp红外探测器,具有梯度阻挡层,梯度吸收层或chi形应变层超晶格吸收层
机译:具有梯度阻挡层,梯度吸收层或形应变层超晶格吸收层的nbn和pBp红外探测器
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
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