机译:肖特基接触式硅纳米线场效应晶体管传感器的沟道长度相关灵敏度;
Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA;
Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA;
Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095, USA California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles, California 90095, USA;
机译:肖特基接触式硅纳米线场效应晶体管传感器的沟道长度相关灵敏度
机译:超高灵敏度PH传感器,采用硅纳米线通道双栅场效应晶体管由ElectromeOM聚乙烯吡咯烷酮纳米纤维图案模板转移制造
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:不同硅纳米线场效应晶体管通道长度用于生物传感应用的数值模拟
机译:电子设备的新平台:N沟道有机场效应晶体管,互补电路和纳米线晶体管。
机译:基于硅纳米线双栅场效应晶体管的高敏感和选择性钠离子传感器
机译:肖特基结门控硅纳米线效应晶体管低频噪声的顶级栅极耦合效应
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)