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具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管

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一种晶体管，包括置于一个半导体沟道(220)，置于一个栅极(270)附近，并在一个源极(250)和一个漏极(260)间的一个电气通路内，其中上述沟道与上述源极或漏极中的至少一个通过一个界面层(230，240)隔离，以形成一个沟道-界面层-源极/漏极结，其中上述半导体沟道的一个费米能级在上述结的一个临近区域内被解除钉扎，并且该结具有一个小于约1000Ω-μm

著录项

公开/公告号CN100557816C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-11-04

原文格式PDF
申请/专利权人艾康技术公司;
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申请/专利号CN03819496.1
发明设计人丹尼尔·E·格鲁普;丹尼尔·J·科尼利;
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申请日2003-08-08
分类号
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:03:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-11-04

授权

授权
2005-11-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-09-28

公开

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