机译:用于评估垂直InAs纳米线接触的传输线方法
Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden;
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机译:使用多侧壁传输线法测定INAS / Ni-In-InAs合金之间的特定接触电阻率的精确评价
机译:带有欧姆接触的透射电子显微镜中锥形InAs纳米线的原位电学表征
机译:InAs纳米线图案和自对准电触点的湿法蚀刻方法
机译:基于硅平台上垂直堆叠的纳米线的全方位栅极CMOS(InAs n-FET和GaSb p-FET),通过极薄的缓冲层技术以及通用栅极堆叠和接触模块实现
机译:垂直铁磁MnAs /半导体InAs异质结纳米线的合成与表征
机译:金属有机化学气相沉积法在InAs茎上自催化生长垂直GaSb纳米线
机译:用于INAS纳米线图案的湿蚀刻方法和自对准电触点