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【2h】

Wet etch methods for InAs nanowire patterning and self-aligned electrical contacts

机译：用于INAS纳米线图案的湿蚀刻方法和自对准电触点

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作者
G Fülöp; S d’Hollosy; L Hofstetter; A Baumgartner; J Nygård; C Schönenberger; S Csonka;
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年度 2016
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1. Wet etch methods for InAs nanowire patterning and self-aligned electrical contacts [J] . Fueloep G., dHollosy S., Hofstetter L., Nanotechnology . 2016,第19期

机译：InAs纳米线图案和自对准电触点的湿法蚀刻方法
2. The use of etched registration markers to make four-terminal electrical contacts to STM-patterned nanostructures [J] . F J Ruess, L Oberbeck, K E J Goh Nanotechnology . 2005,第10期

机译：使用蚀刻的对准标记与STM图案化的纳米结构建立四端子电接触
3. In situ electrical characterization of tapered InAs nanowires in a transmission electron microscope with ohmic contacts [J] . Zhang Chao, Neklyudova Mariya, Fang Liang, Nanotechnology . 2015,第15期

机译：带有欧姆接触的透射电子显微镜中锥形InAs纳米线的原位电学表征
4. Defect characterization of EUV Self-Aligned Litho-Etch Litho-Etch (SALELE) patterning scheme for advanced nodes [C] . Kaushik Sah, Andrew Cross, Sayantan Das, Conference on Metrology, Inspection, and Process Control for Semiconductor Manufacturing . 2021

机译：高级节点EUV自对准LITHO-蚀刻LITHO-蚀刻（SALELE）图案化方案的缺陷表征
5. Electrical properties and band diagram of InSb-InAs nanowire type-III heterojunctions. [D] . Chen, Chao-Yang Michael. 2013

机译：InSb-InAs纳米线III型异质结的电学性质和能带图。
6. Novel Wet Micro-Contact Deprinting Method for Patterning Gold Nanoparticles on PEG-Hydrogels and Thereby Controlling Cell Adhesion [O] . Cigdem Yesildag, Christoph Bartsch, Gonzalo de Vicente, 2017

机译：在PEG水凝胶上构图金纳米粒子的新型湿式微接触脱印方法从而控制细胞粘附
7. Electrical contacts to single nanowires: a scalable method allowing multiple devices on a chip. Application to a single nanowire radial p-i-n junction [O] . Pierre Blanc, Martin Heiss, Carlo Colombo, 2013

机译：单个纳米线的电触点：可伸缩方法，允许芯片上的多个设备。应用于单个纳米线径向P-I-N结

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