机译:SiGe外延纳米结构引起的锗局部单轴拉伸应变高达4%
IFN-CNR, L-NESS, via Anzani 42,22100 Como, Italy;
L-NESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Polo di Como, via Anzani 42,22100 Como, Italy;
L-NESS, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano-Bicocca, via Cozzi 55, I-20125 Milano, Italy;
L-NESS, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano-Bicocca, via Cozzi 55, I-20125 Milano, Italy;
L-NESS, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano-Bicocca, via Cozzi 55, I-20125 Milano, Italy,Empa - Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, Ueberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland;
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IFN-CNR, L-NESS, via Anzani 42,22100 Como, Italy,L-NESS, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Polo di Como, via Anzani 42,22100 Como, Italy;
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机译:在Si上制造的弛豫的锗锡P沟道隧穿场效应晶体管:Sn成分和单轴拉伸应变的影响
机译:带有SiGe应力源的短通道应变Ge n型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管在Ge衬底上产生超过1%的单轴拉伸应变
机译:用于高性能Ge / InGaAs隧道场效应晶体管的应变工程双轴拉伸外延锗
机译:在SiGe / Si外延系统中在动态限制条件下在动力学纳米结构的诱导形成的形成
机译:控制应变诱导的自组装硅锗外延纳米结构的形成。
机译:量身定制的形状引起的石墨烯Kirigami异常热响应对单轴拉伸应变的分子动力学研究
机译:锗的局部单轴拉伸应变高达4%的SiGe外延纳米结构诱导