机译:SiGe外延纳米结构引起的锗局部单轴拉伸应变高达4%
机译:在Si上制造的弛豫的锗锡P沟道隧穿场效应晶体管:Sn成分和单轴拉伸应变的影响
机译:带有SiGe应力源的短通道应变Ge n型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管在Ge衬底上产生超过1%的单轴拉伸应变
机译:在SiGe / Si外延系统中在动态限制条件下在动力学纳米结构的诱导形成的形成
机译:控制应变诱导的自组装硅锗外延纳米结构的形成。
机译:量身定制的形状引起的石墨烯Kirigami异常热响应对单轴拉伸应变的分子动力学研究
机译:si上制备的弛锗 - 锡p沟道隧道场效应晶体管:sn成分和单轴拉伸应变的影响