机译:基于绝缘体上硅衬底的光刻定义的少数电子硅量子点
Department of Physical Electronics and Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
Department of Physical Electronics and Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan,Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, Japan;
Department of Physical Electronics and Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
机译:掺硼绝缘体上硅衬底上物理定义的量子点的制备和表征
机译:高掺杂绝缘体上硅衬底上物理定义的双量子点中的电子传输
机译:硅中静电定义的少数电子双量子点
机译:实现光刻定义的硅量子点,无需无意地局部潜力
机译:硅和硅锗外延用于制造基于电子自旋的量子计算机的量子点器件。
机译:在绝缘体上硅衬底上的纳米结构Si岛上外延生长的Ge点的X射线表征
机译:硅中静电定义的少数电子双量子点
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物