机译:嵌入GaN中的亚单层InN量子片中的单个电子和空穴局部化
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
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机译:Pseudomorphic scain / GaN,Gain / Gan,Inain / Gan和Inain / Inn异质结构的极化诱导界面和电子纸张电荷
机译:GaN盖层对金属有机气相外延生长的GaN(0001)上嵌入的自组织InN量子点的形貌和物理性质的影响
机译:嵌入Si中的化合物半导体量子点处的电子-空穴对的高效辐射复合
机译:具有实际几何尺寸的纤锌矿InN / GaN量子点中电子结构的原子模拟
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:II型ZnTe / ZnSe亚单层量子点中的长自旋翻转时间和大的Zeeman裂隙
机译:亚单层InN量子中的单个电子和空穴定位 嵌入GaN的片材