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机译:Ge掺杂的GaSb薄膜在晶化时具有零质量密度变化,可用于相变存储器
Aix-Marseille Universite, CNRS, IM2NP UMR 7334, Campus de St-Jerome, 13397 Marseille Cedex 20, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS, MADIREL UMR 7246, Campus de St-Jerome, 13397 Marseille Cedex 20, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS, IM2NP UMR 7334, Campus de St-Jerome, 13397 Marseille Cedex 20, France;
Institute of Radiation Physics, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01314 Dresden, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz Ⅰ, 14109 Berlin, Germany;
IBM/Macronix PCRAM Joint Project, Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., 16 Li-Hsin Rd., Science Park, Hsinchu, Taiwan;
机译:Zn掺杂的SB70Se30薄膜,具有多相转变,用于高存储密度和低功耗相位变化存储器应用
机译:用于高密度相变存储应用的具有多级相变的SbSe / ZnSb堆叠薄膜
机译:用于相变存储器应用的熔融淬火CE的CE形CESBTE薄膜的结晶性能
机译:掺杂对相变存储应用Ge-Sb-Te薄膜结晶动力学的影响
机译:硫族化物薄膜器件中的电结构耦合:光伏和相变存储器
机译:零密度变化相变存储材料:结晶后的GeTe-O结构特征
机译:掺锗锑相变薄膜的应力诱导结晶
机译:薄膜介导的相变现象:结晶,蒸发和润湿