低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此它在晶化过程中的密度反常减小、体积增大，可用来抵消第一相变层在晶化过程中的体积减小现象；将常规相变材料与负密度变化的材料交替堆叠形成的超晶格薄膜可以减小相变存储材料在相变过程中的体积变化，进而减少相变存储材料在循环擦写过程中由于体积反复增大和减小造成的空洞；将该低密度甚至零密度变化的超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增加相变存储器件循环擦写的稳定性，提高器件的使用寿命。