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许静波;
南京邮电大学;
相变材料; 薄膜; 超晶格; 制备;
机译:超薄膜相变材料的超磷酸盐和电子传输性能Ge2sb2te5
机译:单次成像光谱法研究Ge2Sb2Te5硫族化物合金薄膜中的超快晶体向非晶相变
机译:使用超晶格结构改善GE2SB2TE5上的相变性能
机译:电介质材料在相变存储器中的Ge2SB2Te5薄膜的结晶行为和界面反应
机译:铟锡氧化物(ITO)/玻璃基板上碲化镉,碲化铅和碲化镉/碲化铅超晶格薄膜的制备与表征
机译:相变材料Ge2Sb2Te5中温度驱动的拓扑量子相变
机译:组成匹配的氮掺杂Ge2Sb2Te5 / Ge2Sb2Te5超晶格状结构,用于相变随机存取存储器
机译:立方GaN薄膜中生长,氮空位降低和固溶体形成及随后使用alN和InN制备超晶格结构。
机译:超晶格相变薄膜,具有低密度变化,相变存储器及其制备方法
机译:硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译:技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
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