机译:具有非常高的雾度值的ZnO薄膜,用作薄膜硅太阳能电池中的正面透明导电氧化物薄膜
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
rnDepartment of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
rnDepartment of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
rnDepartment of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
rnPhotovoltaics Research Center (PVREC), Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
机译:硅薄膜太阳能电池高雾度正面透明导电氧化物的表面改性
机译:双层透明导电氧化物(TCO)结构作为薄膜硅太阳能电池前电极的表面纹理研究
机译:在透明硅薄膜太阳能电池的Agox的渗透厚度下优化高度透明和导电氧化物 - 金属氧化物电极
机译:具有非常高的雾度值和近红外透射率的SnO_2:F,可用作薄膜硅太阳能电池的正面透明导电氧化物膜
机译:无定形和纳米晶体基薄膜太阳能电池透明导电氧化物和背反射器的研究
机译:薄膜太阳能电池应用中织构化的ZnO @ B透明导电氧化物中晶格应变松弛吸光度和薄层电阻对厚度的依赖性
机译:薄膜硅太阳能电池用掺杂铝的氧化锌(AZO)透明导电氧化物的改性表面纹理