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机译:退火对原子层沉积HfO2栅电介质的多层MoS2晶体管电性能的影响
Huazhong Univ Sci & Technol, Sch Opt & Elect Informat, Wuhan 430074, Peoples R China;
Huazhong Univ Sci & Technol, Sch Opt & Elect Informat, Wuhan 430074, Peoples R China;
Huazhong Univ Sci & Technol, Sch Opt & Elect Informat, Wuhan 430074, Peoples R China;
Univ Hong Kong, Dept Elect & Elect Engn, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China;
Hong Kong Polytech Univ, Dept Appl Phys, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China;
机译:HFO2封装对少数层MOS2晶体管电气性能的影响,用ALD HFO2作为背栅电介质
机译:NH3掺杂的ALD HfTiO栅极电介质改善了多层MoS2晶体管的电性能
机译:具有Al2O3 / HFO2的栅极堆叠电介质的顶门和底门多层MOS2晶体管的比较研究
机译:具有ALD HfTiO栅极电介质的多层MoS2晶体管的电性能
机译:原子层在氮化铟上沉积的高k电介质的电性能。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:退火对原子层沉积HfO2栅介质的多层MoS2晶体管电性能的影响