机译:高κ/金属门科学技术
IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598;
IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598;
metal gates; mobility; capping layers; hafnium oxide; oxygen vacancies;
机译:以Al,Ni,TiN和Mo为金属栅极,以ZrO_2和HfO_2作为高κ电介质的金属栅/高κ/ Si电容器的处理和评估
机译:再谈适用于高$ K $ /金属栅极技术的栅极电阻的RF紧凑模型
机译:使用低于90 nm CMOS技术节点的潜在低成本前端工艺原位制造金属栅/高k介电栅叠层
机译:后栅极高k /金属栅极CMOS技术中用于EOT缩放的新原子层氧化技术
机译:高κ/金属栅极晶体管界面层的研究
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术