Microelectronics Division, IBM, 2070 Rt 52, Hopewell Junction, NY, USA;
机译:TmSiO / HfO 2 sub>介电堆栈在亚纳米EOT高
机译:先栅极后栅极工艺对使用原子层沉积Al_2O_3和HfO_2氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器的界面质量的影响
机译:通过在Si上的高κ/金属栅堆叠中进行Al远程清除,将二氧化硅界面层降低至4.6 A EOT
机译:一种新型原子层氧化技术,用于栅极 - 最后一次高к/金属栅极电栅CMOS技术中的EOT缩放
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:金属栅电极和用于子32nm散装CMOS技术的高电胶:用于低阈值电压器件应用的氧化镧覆盖层的应用