机译:通过选择性沉积的硫醇分子进行MoS_2场效应晶体管的接触工程电性能
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
Korea Inst Sci & Technol, Photoelect Hybrids Res Ctr, Seoul 02792, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Phys & Astron, Seoul 08826, South Korea;
charge injection; contact engineering; electrical transport; MoS2; thiol-molecules;
机译:在Si_3N_4衬底上顶栅化学气相沉积MoS_2场效应晶体管
机译:基于化学气相沉积单晶MoS_2晶粒的高迁移率和高通/断比的场效应晶体管
机译:观察陷阱MOS_2场效应晶体管电气性能中的陷阱相关现象
机译:DNA场效应晶体管的电性能;电荷保持特性
机译:场效应晶体管中碳纳米管和束的结构和电传输特性的相关性。
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机译:现场效应晶体管:通过选择性地沉积硫醇分子(ADV。Mater.18 / 2018)通过选择性地沉积MOS2场效应晶体管的接触式电气性能