机译:现场效应晶体管:通过选择性地沉积硫醇分子(ADV。Mater.18 / 2018)通过选择性地沉积MOS2场效应晶体管的接触式电气性能
机译:通过选择性沉积的硫醇分子进行MoS_2场效应晶体管的接触工程电性能
机译:与分层CRPS4接触的MOS2场效应晶体管的电气性能
机译:在溶胶 - 凝胶制备的Alox层上制造的MOS2场效应晶体管的厚度依赖性电性能
机译:DNA场效应晶体管的电性能;电荷保持特性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:发现MoS2场效应晶体管的边缘状态和电不均匀性
机译:有机电子产品:2-乙基己基立体异构体对单晶场效应晶体管电性能的影响(ADV。Mater。44/2018)