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机译:Ga_(1-x)Al_xAs / GaAs异质结处二维空穴气体量子态的磁光研究
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology Wybrzeze Wyspiariskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
III-V semiconductors; landau levels;
机译:具有二维孔气体的不对称GaAs / Ga_(1-x)Alx_As量子阱中正电荷激子的光致发光研究
机译:Gaas / ga_(1-x)al_xas量子点的拉曼研究:介电连续谱方法
机译:交叉电场和磁场对块状GaAs和GaAs / Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中电子和激子态的影响
机译:偏压Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs三重壁垒半导电结构中电子和孔的隧穿传输系数
机译:砷化铟/铝(x)镓(1-x)锑量子阱中二维电子和空穴的远红外磁光研究。
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:p型二维孔道Landau水平的光致发光研究 单个al_ {x} Ga_ {1-x} as / Gaas异质结构