growth MOVPE patterning semi-polar GaN silicon substrates;
机译:在图案化(113)硅上生长的低缺陷大面积半极性(11(2)-bar2)GaN
机译:在图案化硅衬底上生长的(1 1 0 1)半极性InGaN / GaN多量子阱的光学性质
机译:在图案化r蓝宝石上制造的低缺陷(11(2)over-bar2)GaN模板上生长的半极性InGaN量子阱的绿色发射
机译:在图案化硅衬底上生长的GaN中的缺陷产生和an灭
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:在图案化(113)硅上生长的低缺陷大面积半极性(11-22)GaN